核心詞：MYPT高壓電纜 絕緣柵晶體管方法 雙極晶體管方法 晶體管方法 晶體管方法的 仿真設(shè)計(jì)方法 設(shè)計(jì)方法 
目錄：
1、MYPT高壓電纜為了提高成品率
2、雙極晶體管方法本文設(shè)計(jì)的IGBT器件是一種基于透明陽(yáng)極技術(shù)的NPT型IGBT器件
3、絕緣柵晶體管方法模擬結(jié)果表明
　　閾值電壓特性曲線如圖2所示。
　　

MYPT高壓電纜為了提高成品率

　　為了提高成品率,絕緣柵晶體管方法降低制造成本,從硅單晶材料的選擇到加工工藝的每一步都有系統(tǒng)而嚴(yán)格的要求。

計(jì)算機(jī)仿真設(shè)計(jì)可以大大提高生產(chǎn)的可靠性,晶體管方法的包括結(jié)構(gòu)工藝仿真、電氣特性仿真和布局設(shè)計(jì)。根據(jù)工藝模擬結(jié)果,仿真設(shè)計(jì)方法確定器件的橫向尺寸,MYPT高壓電纜繪制出芯片布局圖,MYPT高壓電纜如圖5所示。利用計(jì)算機(jī)軟件對(duì)IGBT器件進(jìn)行工藝模擬,即通過(guò)調(diào)節(jié)擴(kuò)散過(guò)程的溫度、時(shí)間和氣氛,模擬出最佳器件參數(shù)硼、磷結(jié)深度等,絕緣柵晶體管方法最終得到理想的器件結(jié)構(gòu)。

　　

雙極晶體管方法本文設(shè)計(jì)的IGBT器件是一種基于透明陽(yáng)極技術(shù)的NPT型IGBT器件

　　本文設(shè)計(jì)的IGBT器件是一種基于透明陽(yáng)極技術(shù)的NPT型IGBT器件。采用中子嬗變技術(shù)摻雜晶體取向的n型硅單晶作為襯底。單元結(jié)構(gòu)為條形,晶體管方法環(huán)形場(chǎng)板采用混合末端結(jié)構(gòu)。過(guò)程仿真的二維結(jié)構(gòu)如圖1所示。因此,晶體管方法的p井區(qū)域的摻雜和退火過(guò)程在實(shí)際過(guò)程中應(yīng)該進(jìn)行優(yōu)化,仿真設(shè)計(jì)方法MYPT高壓電纜因?yàn)樗c雜質(zhì)的再分布密切相關(guān),晶體管方法的為了盡量減少雜質(zhì)在p井區(qū)域分布的波動(dòng),仿真設(shè)計(jì)方法雙極晶體管方法從而獲得一個(gè)相對(duì)穩(wěn)定的閾值電壓,雙極晶體管方法最后提高了器件參數(shù)的均勻性和一致性。模擬結(jié)果表明,芯片厚度、襯底摻雜濃度、Pbody摻雜濃度和柵氧厚度是影響on-state特性的因素。對(duì)于高壓大電流IGBT的制造,傳統(tǒng)的外延方法已不再適用。對(duì)工藝模擬生成的器件結(jié)構(gòu)的電特性進(jìn)行了仿真,設(shè)計(jì)方法得到了器件關(guān)鍵參數(shù)的仿真曲線。
　　

絕緣柵晶體管方法模擬結(jié)果表明

　　模擬結(jié)果表明,影響閾值電壓的因素首先是摻雜濃度和p阱區(qū)雜質(zhì)分布,其次是柵極氧化層厚度。同時(shí),發(fā)現(xiàn)通道越長(zhǎng),雜質(zhì)分布越平坦,MYPT高壓電纜閾值電壓越容易控制。

目前,絕緣柵晶體管方法器件直接放置在硅晶體上,導(dǎo)致工藝變化。通態(tài)特性曲線如圖3所示。模擬結(jié)果表明,晶體管方法的影響開(kāi)關(guān)參數(shù)的因素有P+陽(yáng)極摻雜濃度、柵氧化層厚度、多晶硅厚度和摻雜濃度。如果存在N+緩沖層,絕緣柵晶體管方法則與摻雜濃度和緩沖層厚度有關(guān)。通過(guò)IGBT的工藝仿真和電學(xué)特性仿真,結(jié)合流量試驗(yàn)情況,晶體管方法MYPT高壓電纜研究結(jié)果表明計(jì)算機(jī)仿真結(jié)果與試驗(yàn)數(shù)據(jù)高度吻合,為器件制造提供了有力的支持。此外,設(shè)計(jì)方法晶體管方法開(kāi)關(guān)參數(shù)與芯片的整體布局,絕緣柵晶體管方法特別是多晶硅柵的布局結(jié)構(gòu)有很大的關(guān)系。開(kāi)關(guān)特性曲線如圖4所示。